本鍍膜系統為圓形真空室結構，后部抽氣，正面開門結構，采用優質奧氏體不銹鋼制造。濺射沉積室頂板上安裝有一只（二只）2inch(或3inch)磁控濺射靶，出射束流方向朝向基片架并在基片上得到薄膜。該設備結構簡單，可用于研究和開發納米級單層及多層功能膜，如硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜、復合膜、鐵磁膜和磁性薄膜等新型薄膜材料。
系統主要參數
l 極限真空度：≤6×10-5Pa（清潔+烘烤去氣條件下12小時內獲得）；
l 抽真空時間：30分鐘內，≤6×10-4Pa；
l 基片加熱溫度：≤600℃；
l 基片尺寸：≤Φ3inch的圓片；
l 基片架數量：1套；
l 靶材尺寸：直徑50mm（可選3inch）；
l 靶數量：1只或者2個；
l 真空室尺寸：DN250*340（根據實際情況可能會適當調整）；
l 基片架移動距離：≤50mm（軸向方向）；
l 靶軸線和基片旋轉軸線夾角：共濺射；
l 氣路系統：2路進氣，其中1路為放氣使用；
系統主要配置說明
項目 | 規格及說明 | |
空 室 | 濺射真空室 | DN220*320，尺寸根據設計要求適當調整，上蓋可開啟，測開門 |
超高真空節流閥 | DN100,電動控制,可選自動恒壓功能 | |
分子泵 | 分子泵110L/S或150L/S | |
機械泵 | DVR16 旋片泵，兼起預抽泵和前級泵作用 | |
擋板閥 | DN25電磁擋板閥，預抽管道通斷 | |
截止閥 | 6mm雙卡套接口電動截止閥 | |
照明及烘烤裝置 | 選配 | |
各型法蘭及觀察窗 | DN16、35、63、100、150 | |
不銹鋼管路、管接頭 | 各種規格精密不銹鋼管、波紋管、管接頭 | |
真 空 測 量 與 進 氣 | 數顯復合真空計 | 5227復合真空計或進口全量程規管可選 |
金屬裸規 | ZJ52T，ZJ27 金屬接口 | |
質量流量控制器 | D07-7B質量流量控制器 量程100sccm | |
管路及接頭 | 配混氣室 | |
截止閥 | 6mm雙卡套接口電動截止閥 | |
進氣等控制接口 | 調壓閥電動控制，可反饋 | |
樣 品 架 | 轉動基片架 | 基片旋轉、基片架升降 |
升降裝置 | 升降手動調整 | |
濺射基片加熱裝置 | ≤600℃ 加熱裝置選配 | |
溫控電源 | 日本島電溫控，PID控溫 | |
濺 射 系 統 | 磁控濺射靶 | 一體式濺射靶，可選2寸或3寸，帶擋板 |
濺射電源 | 500W可選直流或射頻 | |
設備機架 | 一體式布局 | |
水氣路系統 | 含冷卻水機 | |
控制系統 | 標配手動，可選觸摸屏自動控制 | |
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